14纳米制程

半导体器件制造
金属氧化物半导体场效电晶体
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977  1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020
未来 003 nm ~ 2022 002 nm ~ 2024
电晶体数量 互补式金属氧化物半导体 半导体器件（多闸极电晶体） 摩尔定律 电晶体数量 半导体 半导体产业 纳电子学

14奈米制程是半导体制造制程的一个水平。最早的14奈米器件是由英特尔于2014年制造。在14奈米中，使用了多重图形曝光模式。

2014年9月，英特尔推出第一代14nm处理器，采用Broadwell微架构。^[1]

参考文献

先前 22奈米制程

半导体器件制造制程

其后 10奈米制程

这是一篇与电脑相关的小作品。你可以透过编辑或修订扩充其内容。