氧化铟镓锌

氧化铟镓锌(英语:indium gallium zinc oxide缩写IGZO)是一种LCD薄膜电晶体显示器技术,IGZO结晶最初由君冢升于1985年合成,1990年代由东京工业大学教授细野秀雄日本科学技术振兴机构(JST)共同开发成IGZO透明不定形氧化物半导体技术。IGZO技术可提高面板解析度同时又降低成本,但IGZO面板对光、水以及氧都相当敏感,耐用度上只能用做民间消费品,不能用于高可靠度的军用或工业环境。

IGZO与非晶矽相比能够缩小电晶体尺寸,提高液晶面板画素的开口率,较易实现解析度高出一倍,电子迁移率快十倍,成为OLED技术的最大对手。

日本科学技术振兴机构(JST)把技术专利于2011年授权予三星电子[3],2012年夏普(Sharp)亦获得授权[4]

LTPS(低温多矽显示面板)的表现在某些方面比IGZO更佳(如电子迁移率比IGZO快约十倍),但是LTPS用在小尺寸面板上才能有可接受的成本,在中大尺寸面板上使用IGZO技术的成本则比使用LTPS低很多。

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参考文献

  1. ^ N. Kimizuka and T. Mohri: J. Solid State Chem. 60 (1985) 382.
  2. ^ http://dx.doi.org/10.1038/nature03090
  3. ^ 存档副本. [2014-01-07]. (原始内容存档于2013-12-05). 
  4. ^ 存档副本. [2014-01-07]. (原始内容存档于2014-01-07). 

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